پایان نامه نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی

فهرست و منابع پایان نامه نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی

فهرست:

چکیده

مقدمه

فصل اول ) نانوتکنولوژی :

1-1-

1-2-

1-3-

1-4-

فصل دوم ) الکترونیک مغناطیسی

2-1- پیش گفتار

2-2- انتقال وابسته به اسپین

2-3- اصول اولیه

2-4- ثبت مغناطیسی

2-5- حافظه‌های غیر فرار

2-6- کاربردهای آتی

فصل سوم ) مقاومت مغناطیسی و الکترونیک اسپینی

3-1- پیش گفتار

3-2- مقدمه

3-3- مقاومت مغناطیسی عظیم (GMR)

3-4- معکوس مغناطیسی سازی با تزریق اسپینی

3-5- مقاومت مغناطیسی تونل زنی (TMR)

فصل چهارم ) حافظه دسترسی اتفاقی (RAM):

4-1- مبانی اصول اولیه

4-2- مرور کلی

4-3- پیشرفت‌های اخیر

4-4- جداره حافظه

4-5- حافظه دسترسی اتفاقی Shodow

4-6- بسته بندی DRAM

فصل پنجم ) حافظه با دسترسی اتفاقی مغناطیسی (MRAM):

5-1- مشخصات کلی

5-2- مقایسه با سایر سیستم‌ها

5-2: الف) چگالی اطلاعات

5-2: ب) مصرف برق

5-2: ج) سرعت

5-3- کلیات

5-4- تاریخ ساخت حافظه‌ها

5-5- کاربردها

فصل ششم ) حافظه فقط خواندنی (ROM):

6-1- تاریخچه

6-2- کاربرد ROM برای ذخیره سازی برنامه

6-3- حافظه ROM برای ذخیره سازی داده‌ها

6-4- سایر تکنولوژی‌ها

6-5- مثال‌های تاریخی

6-6- سرعت حافظه‌های ROM

6-6: الف) سرعت خواندن

6-6: ب) سرعت نوشتن

6-7- استقامت و حفظ اطلاعات

6-8- تصاویر ROM

فصل هفتم ) ضبط کردن مغناطیسی :

7-1- تاریخچه و سابقه ضبط کردن مغناطیسی

فصل هشتم ) مواد برای واسطه‌های ضبط مغناطیسی :

8-1- اکسید فریک گاما

8-2- دی اکسد کروم

8-3 اکسید فزیک گاما تعدیل شده به واسطه سطح کبالت

فصل نهم ) دیسک‌های مغناطیسی :

9-1- سازماندهی دیسک‌ها

9-2- برآورد ظرفیت‌ها و فضای مورد نیاز

9-3- تنگنای دیسک

9-4- فری مغناطیس

فصل دهم ) نوار‌های مغناطیسی :

10-1- کاربرد نوار مغناطیسی

10-2- مقایسه دیسک و نوار مغناطیسی

فصل یازدهم) فلاپی دیسک :

11-1- مبانی فلاپی درایو

11-2- اجزای یک فلاپی دیسک درایو

11-2: الف ) دیسک

11-2: ب) درایو

11-3 نوشتن اطلاعات بر روی یک فلاپی دیسک

فصل دوازدهم )‌هارد دیسک چگونه کار می‌کند :

12-1- اساس‌هارد دیسک

12-2- نوار کاست در برابر‌هارد دیسک

12-3- ظرفیت و توان اجرایی

12-4- ذخیره اطلاعات

فصل سیزدهم ) فرآیند ضبط کردن و کاربردهای ضبط مغناطیسی :

13-1 هدف‌های ضبط

13-2- کارآیی هد نوشتن

13-3- فرآیند هد نوشتن

13-4- فرآیند خواندن

نتیجه گیری و پیشنهادات

پیوست الف )

منابع و مآخذ

.

منبع:

M.Baibich et al.,Phys. Rev. Left. 61,2472(1988).

Wall Street Journal , 10 November 1997,p.B8.

M.Dax , Semi cond. Int. 20 (no.10) , 84 (1977).

R.J.Soulen Jr. et al. , Science 282,85(1998).

C.Tang et al , LEEE Trans. Magn. 30,3801 (1994).

R.E. Scheuerlein , paper presented at the I EEE lnternational Conference on Nonvolatile memorg Technologg , Albuquerque , NM,22 to 24 June (1998).

M. Julliere , Phys. Lett. Lett. A 54,225 (1975).

J. Modera , L. Kinder , T.Wong and R.Meserrey , Phys. Rev , Left. 74,3273 (1995).

Z.W.Dong et al., Appl. Phys. Left. 71 , 1718(1997).

.D.J. Monsma , J.C.Lodder , T.J.A.Popma and B.Dieny , Phys. Rev. Left. 74 , 5260 (1995).

J.Nitta , T.Akazaki , H.Takayanagi and T.Enoki , ibid. 78 , 1335 (1997)

M.Baibich , J.M.Broto , A.Fert , F.N.Guyen Van Dau , F. Pettroff , P.Etienne , G.Greuzet and A.Friederich , Phy. Rev. Left 61 (1988) 2472.

P.Grunberg.R.Schreiber , Y.Pang , M.B.Brodsky and H.Sowers , Phys. Rev. Left. 57 , 2442 (1986).

R.Schad , C.D.Potter , P.Belien , G.Verbanck , V.V Moshchalkov and Y.Bruynseraede , Appl. Phys. Left 64 , 6500 (1994).

A.Barthelerny , A.Fert. and F.Petroff , Hand book of magnetic materials , vol. 12, Elsvier , Amster, Amsterdom, (1999) , pp.1-96

.D.H.Mosca,F.Petroff , A.Fert , P.A.Schroeder , W.P.Pratt , R.Loloee and J.Magn. Magn.Mater. 94,L1(1991).

J.Barnas , A.Fass , R.E.Camley , P.Granberg and W.Zinn , Phys. Rev.B 42, 8110 (1990).

B.Dieny , V.S.Speriosu , S.S.P.Parkin , B.A. Gurney , D.R.Wilhoit and D.Mauri , Phys.Rev. B 43,1297 (1991).

P.A.Schroeder,J.Bass , P.Holody , S.F.Lee,R. Loloee , W.P.Partt Jr.,Q. Yang , Magnetic Ultrathin Films , Multerials Research Society Symposium Proceedings , Vol.313,MRS , Pittsburg , PA,(1993), p.74

A.Fert , L.Piraux and. J.Magn.Magn. Mat 200, 338 (1999). (Special issue).

M.A.M. Gijs , M.T.Johnson , A.Reinders , P.E.Huisman , R.J.M van de Veer donk , S.K.J Lenczow ski and R.M.J. Gansewinkel , Appl. Phys. Left. 66,1839(1995).

C.Vouille , A.Bar the lemy , A.Fert , P.A. Schroeder , S.H.Hsu , A.Reilly and R.Loloee , Phys. Rev , B60 , 6710 (1999)

J.Slonczewski , J. Magn. Magn. Mater. 159 , 1(1996).

J.Grollier , V.Cros , A.Hamzic , J.M. George , H. Jaffres , A.Fert , G.Faini , J.Ben Youssef and H.Legall , Appl. Phys. Left. 78 , 3663 (2001).

A.Katine et al , Phys. Rev. Left. 84,3149 (2000) , F.J. Ablert , J.A. Katine , R.A. Burhman and D.C. Ralph , Appl. Phys. Left 77,3809 (2000).

A.Fert , A.Barthe lemy , J.Ben Youssef , J-P.Contour , V.Cros , J.M. De Teresa , A.Hamzix , J.M.George , G.Faini , J.Grollier , H. Jaffres , H. Le Gall , F. Montaigne , F. Paillouz and F. Petroff , Master. sci. Eng. B 84 (2001) 1-9.

T.Valet. and A.Fert , Phys. Rev. B 48,7099 (1993).

J.Moodera , L.R.Kinder , R.M. Wong and R. Meservey , Phys. Rev. Left. 74 , 3273 (1995).

J. Nassar. M.ltehn , A.Voures , F.Petroff and A.Fert , Appl. Phys. Left. 73,698(1998).

R. Julliere, Phys. Left. A54 , 225 (1975)

J. Nassar , M.Viret , M.Drouet , J.P. Contour , C.Fermon and A.Fert , Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 494 , 231(1998).

D.C.Worledge. and T.H.Geballe,Appl.Phys. Left. 76,900(2000).

R.Meservey. and P.M.Tedrow , Phys. Rep. 238, 173 (1994).

D.Nguyen – Mahn , E.Y.Tsymbal , D.G.Pettifor , C.Arcangeli , R.Tank , O.K. Andersen and A. Pasturel , Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 492,319(1998).

I.I.Oleinik , E.Y.Tsymbal and D.G.Pettifor , Phys. Rev. B 62, 3952 (2000).

I.I.Oleinik , E.Y.Tsymbal and D.G.Pettifor , Phys. Rev.B 65 , 020401R (2001)

انواع جدید در واقع (و یا از لحاظ فنی)، دسترسی اتفاقی نیستند ، چون اطلاعات آنها به ترتیب خوانده می‌شود ولی اکنون نام مرسوم شده است.

ابداع شده است Hitting the Memory Wall این اصطلاح در

Shadow حافظه دسترسی اتفاقی (HTML).Retrived on 2007 -70-24.

http:// www.thic.org/pdf/Ju103/nist.skaka.030722.pdf

Samsung (2007-01-03). SAMSUNG Samples First 50- nanometer 16Gb NAND Flash for Solid State Disk and Other High-density Applications. Press release. Retrived on 2007-01-03.

SBIR Phase I:Zero – Remanence Tamper – Responsive Cryptokey Memory.

NEC Corporation (2006-02-07). Toshiba and NEC Develop World,s Fastest , Highest Density MRAM. Press release. Retrieved on 2006- 07-10

Freescale Semi conductor (2006-07-10). Freescale Leads Industry in Commercializing MRAM Technologg.Press release. Retrieved on 2006-07-10.

صفحه 6 کتابچه راهنمای طراحی و کاربرد حافظه‌های نوری ، 1993 شرکت توشیبا

فصول مربوط به مدارهای دیجیتالی ترکیبی و مدارهای دیجیتالی ترتیبی در میلمن و گرابل سازنده میکرو الکترونیک‌ها.

http://www.irannano.org

http://www.HowstaffWorks.com

http://en.wikipedia.ogr/wiki/RAM

http://en.wikipedia.ogr/wiki/MRAM

http://en.wikipedia.org/wiki/ROM.